花盆缺水告知器电路设计.doc
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1、 电工电子工艺实习报告 花盆缺水告知器电路设计学院:电气工程学院班级:生物医学工程学号:姓名:电力电子装置设计-花盆缺水告知器电路设计第一章:任务设计书1.1 设计课题:本次电力电子设计装置的题目是花盆缺水告知器电路设计1.2 设计目的:1.进一步了解和掌握555时基电路和结型场效应管2.重点理解由555电路构成的低频多谐振荡器的结构,原理3.掌握多谐振荡器的使用方法1.3 设计要求1. 根据课题正确选择电路形式2绘制完整的电气原理图(包括只要的电气控制部分)3.详细介绍整体电路和各功能部件工作原理4.编制使用说明书 第二章:主电路及原理简介21 结型场效应管的工作原理因为本电路设计主要需要使
2、用N沟道结型场效应管,所以,主要介绍N沟道结型场效应管。场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P区连起
3、来,就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。 结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构。1.N沟道结型场效应管工作时,需要外加如图1所示的偏置电压,即在栅-源极间加一负电压(Ugs0),使N沟道中多数载流子电子在电场的作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流Id,Id的大小主要受栅-源极电压Ugs控制,同时也受漏-源极电压Uds的影响,因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源极电压Ugs对漏极电流Id(或沟道电阻)的控制作用,以及漏-源电压Uds对漏极电流Id的影响 图12. Uds对I
4、d的控制作用图2电路说明了Ugs对沟道电阻的控制作用,为便于讨论,先假设源-漏极间所加的电压Ugs=0时,沟道较宽,其电阻较小,如图2(a)所示: 图2(a)当Ugs0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个PN结耗尽层将加宽,由于N区掺杂的浓度小于P区,因此,随着Ugs的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图2(b)所示: 图2(b)当Ugs进一步增大到一定值Vp时,两侧的耗尽层将在沟道中央合拢,沟道全部被夹断,如图2(c)所示: 图2(c)由于耗尽层中没有载流子,因此,这时漏-源极间的电阻将趋近无穷大,即使加上一定的电压Uds,漏极电流Id也将为零,这时的栅
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