PROE结构设计直板型手机设计.doc

《PROE结构设计直板型手机设计.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《PROE结构设计直板型手机设计.doc（57页珍藏版）》请在沃文网上搜索。

1、PRO/E结构设计-直板型手机设计PRO/E结构设计-直板型手机设计 班级： 姓名： 指导老师： 摘要为保证圆满完成本次毕业设计任务，首先做了大量的准备工作，就设计选题，做了广泛的市场调研，从而确定了手机设计这个课题。然后通过各种渠道，查阅了了大量手机设计的相关资料及图片，并对手机模型进行拆分，对手机外形设计，结构设计，功能设计均做到了有一定了解。通过组织设计小组就课题进行研究讨论，拟定了各种设计方案，并确定了最终的设计方案。本次设计工作主要是以Pro/E为工具来进行手机外壳组件的设计和组装，并生成二维工程图。在设计过程中，对模型的关键部件进行测绘，作为设计参数，接着对手机外观，结构、材质、色

2、彩等做改进创新设计，最终完成如本文中描述的设计方案。在撰写设计说明书的过程中，广泛的运用机械设计，机械制造等方面的专业知识，并参考了大量的图片书籍。最后终于完成本论文，但由于经验不足，知识有限，论文中不免存在错漏，望老师批评指正，谢谢！ 关键词：手机、结构设计、Pro/E、二维工程图目录摘要II引 言11手机盖21.1 上盖21.2 下盖92手机壳162.1 手机前壳162.2 手机后壳283手机键盘393.1 手机键盘39结 论50参 考 文 献.51附 录53致 谢54IIIPRO/E结构设计-直板型手机设计PRO/E结构设计-直板型手机设计引言近些年来，手机市场日新月异。竞争已经不局限于

3、外观设计、价格成本优势等方面，功能的多样化以及时尚的造型成为市场的两大焦点。放眼国内手机市场，不同样式，功能的手机繁多，按外形可以统称分为直板机和翻盖机两种，根据手机的特殊功能可分为拍照手机，滑盖手机，旋盖手机和具有商务功能的PDA手机，而其中直板机型雄霸手机市场，而翻盖、滑盖机型上升势头较快，其必将对直板机型霸主地位产生影响；从整个市场来看，直板手机种类最多，销售量也最大，而在亚洲和国内市场上翻盖手机却是最受欢迎。近年来，随着手机连接结构的不断演化，又先后出现了滑盖式和旋转式等。手机的外形也有所变化，各种翻转连接不穷。折叠中有旋转，旋转后又有折叠，极大地推动了手机造型的创新。例如双向轴连接在

4、手机设计中的应用，使手机可以在三维空间上旋转，极大地方便了人们发挥手机中的摄像功能。这说明，优秀的工业设计是技术和艺术完美结合，连接结构作为一种技术支撑，对手机的设计创新具有重要的指导意义。中国的工业设计要走创新的道路，不仅要在造型上有所创新，更要从结构上着手，充分考虑市场需求。对产品造型进行更好的更合理的改变。手机设计其实就是属于产品设计，属于工业设计范畴。对于设计历史，亦可以从工业设计角度予以简略阐述。早期的设计受批量生产和成本的影响，只是考虑产品标准化，实用化，功能化因素。设计手段是美术学科衍生的，以手工的方式进行表现。而现代设计从人性化，个性化、差异化，时尚化出发，不仅考虑是否符合人体

5、工程学或优美造型作为标准，而且还考虑多方面发展的趋势，另外就是设计手段的日新月异，人们使用电脑作为实际工具，使传统设计方法受到冲击。人们将大量时间用于思考设计的细节问题。手机设计作为工业设计的一方面，同样遵循这样的发展规律。虽然中国的手机产业起步较晚，但走的是同样是这样一连发展之路。设计过程与步骤1.绘制手机盖 1.1绘制手机上盖 1、单击“草绘“按钮，选择基准平面DTM1作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。1-01在草绘平面内绘制如图1-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。2、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平

6、移 XX，如图所示3、单击“草绘“按钮，选择基准平面TOP作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。1-02在草绘平面内绘制如图1-02所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。4、单击“边界混合”按钮，选取图1-01中弧形线，按住CTRL再选取图1-02中的直线，最后创建的边界曲面如下图所示：点击完成。5、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM1作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-036、在草绘平面内绘制如图1-03所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出

7、二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为4X，然后点击完成。7、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为4mm，方向向上。1-04如图1-04所示，在设计图板点击去除材料，完成后则如下图所示： 8、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。 1-05 在草绘平面内绘制如图1-05所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为60，选取然后点击完成。如下图1-06所示。1-069、单击“拉伸“按钮打开设

8、计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面TOP作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-07在草绘平面内绘制如图1-07所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为60，然后点击完成。如下图1-08所示。1-0810、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM1作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-09在草绘平面内绘制如图1-09所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入

9、拉伸长度为60，然后点击完成。如下图1-10所示。1-1111、选取“到圆角”按钮，设计图标板倒圆角值为0.75，选取所有面，点击完成，如下图1-12所示。1.2绘制手机下盖1、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移30。2、单击“草绘“按钮，选择基准平面DTM2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-01在草绘平面内绘制如图2-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。3、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM2作为草绘平面，随后进入进入二

10、维草绘模式。2-02在草绘平面内绘制如图2-02所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为54，然后点击完成。如下图2-03所示。4、单击“草绘“按钮，选择基准平面RIGHT作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-03在草绘平面内绘制如图2-03所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。5、单击“草绘“按钮，选择基准平面FRONT1作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-04在草绘平面内绘制如图2-04所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。6、单击

11、“草绘“按钮，选择基准平面FRONT2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-05在草绘平面内绘制如图2-05所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。7、单击“边界混合”按钮，按住CTRL选取图2-03、2-04、2-05中的曲线，最后创建的边界曲面如下图所示：点击完成。8、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM2，偏距平移70.9、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-06在草绘平面内绘制如图2-06所示草绘

12、剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为11，然后点击完成。如下图2-07所示。2-0710、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为15mm，方向向上。如图所示：在设计图板点击去除材料，如下图所示：11、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-08在草绘平面内绘制如图2-08所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图2-09

13、所示。图2-0912、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-10在草绘平面内绘制如图2-10所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点取“去除材料”，点击，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为50，然后点击完成。如下图2-11所示。2-1113、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 2-12在草绘平面内绘制如图2-12所示草绘剖

14、面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点取“去除材料”，点击，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为30，然后点击完成。如下图2-13所示2-13下图2-14为效果图：2.绘制手机壳2.1绘制手机前壳1、单击“草绘“按钮，选择基准平面TOP作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-01在草绘平面内绘制如图3-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。2、单击“草绘“按钮，选择下图中的基准平面作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。在草绘平面内绘制如图3-03所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式

15、。3-033、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移95.4、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM2，偏距平移5. 5、单击“草绘“按钮，选取基准平面DTM2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-04在草绘平面内绘制如图3-04所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。6、单击“边界混合”按钮，选取图3-05中的两条草绘线，最后创建的边界曲面如图所示：3-057、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为0.75mm，方向向Y。8、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参

16、数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM2作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-06在草绘平面内绘制如图3-06所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XXX，然后点击完成。如下图3-07所示。3-079、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-08在草绘平面内绘制如图3-08所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点

17、击完成。如下图3-09所示。3-0910、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-10在草绘平面内绘制如图3-10所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下图3-11所示。3-1111、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-12在草绘平面内绘制如图3-12所示草绘

18、剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图3-13所示。3-1312、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-14在草绘平面内绘制如图3-14所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图3-15所示。 3-1513、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，

19、选取3-16中彩色部分基准平面作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-163-17在草绘平面内绘制如图3-17所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下图3-18所示。3-1814、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取3-16中彩色部分基准平面作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-19在草绘平面内绘制如图3-19所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下

20、图3-20所示。3-2015、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-21在草绘平面内绘制如图3-21所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如图3-22：3-2216、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-23在草绘平面内绘制如图3-23所示草绘剖面图，点击，

21、完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为0.3，然后点击完成。如图3-24：3-2417、单击“草绘“按钮，选择基准平面FRONT作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-25在草绘平面内绘制如图3-25所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。18、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-26在草绘平面内绘制如图3-23所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉

22、伸设计图标板输入拉伸长度为3，然后点击完成。如图3-273-27整体效果图如下：2.2绘制手机后壳1、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移7，方向向下。2、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-28在草绘平面内绘制如图3-25所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：3、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN2，偏距平移20，方向向下。4、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN3作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-

23、29在草绘平面内绘制如图3-26所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：5、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN3，偏距平移18，方向向下。6、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN4作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-30在草绘平面内绘制如图3-26所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：7、单击“边界混合”按钮，选取图3-31中的三条曲线，最后创建的边界曲面如下图所示：3-31点击完成得到效果图：8、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN4，偏距平移10，方向向下

24、。9、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN5作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-32在草绘平面内绘制如图3-32所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：10、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN5，偏距平移25，方向向下。11、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN5作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-33在草绘平面内绘制如图3-23所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：12、选取下图中的曲面部分，点击“编辑”菜单中的偏移，出现设计图标板，

25、方向向内，偏移距离0.1。之后得到效果图为：13、点击，出现设计图标板，选取曲面，点击，选择该曲面，完成后得到下图：14、单击“边界混合”按钮，选取图3-31中的三条曲线，最后创建的边界曲面如下图：3-34最终得到效果图：15、点击，出现设计图标板，按住CTRL选取两个曲面，如下图3-35所示，点击完成后效果图如3-36所示。3-353-3616、选取编辑菜单中的“加厚”选项，出现设计图标板，方向向外，加厚值0.75，如下图3-37所示，点击完成后效果图如3-38所示。3-373-383.绘制手机键盘3.1绘制手机键盘1、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定

26、义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-01在草绘平面内绘制如图4-01剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-02所示：4-022单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-03在草绘平面内绘制如图4-03面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-04示：4-043、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击

27、“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-05在草绘平面内绘制如图4-05图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-06：4-06 4、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-07在草绘平面内绘制如图4-07，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-084-08 5、单击“

28、拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-09在草绘平面内绘制如图4-09，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-10：4-106、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-11在草绘平面内绘制如图4-01剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点击去除材料，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向

29、向内，完成后如图4-12：4-12 7、点击倒圆角按钮，选取键盘所有面，半径倒圆角值为0.1，点击完成，得到如图4-13所示：4-13 8、效果图： 9、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取下图中橙色部分为基准平面，随后进入进入二维草绘模式。 4-14在草绘平面内绘制如图4-14图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为0.5方向内，完成后如图4-15：手机装配图： - 第54页共54页 -结论此次毕业设计的产品设计是在Pro/E环境下实现的，由于我们知识有限，实际经验不足，因此我的设计

30、还存在一些不足之处。通过本次毕业设计，不仅对大学三年所学知识的回顾和总结，而且使我学到了很多知识也有很多感受，从开始对Pro/E只有一个初步的了解，到可以根据一个实物独立完成一个产品的设计。也让我对产品及模具的设计有了更深一步的理解，为今后的工作奠定了一定的基础。这次做论文的经历也会使我终身受益，我感觉到做论文是要真真正正用心去做的一件事情，是真正的自己学习的过程和研究的过程，没有学习就不可能有研究的能力，没有自己的研究，就不会有所突破，那也就不叫论文了。希望这次的经历能让我在以后激励我继续进步。参 考 文 献1 姚诗斌著. 数据库系统基础. 计算机工程与应用，1981年第8期.2 Rober

31、tson T，Perkins A. Physical and Mathematical Modeling of Liquid Steel Temperature in Continuous Casting，Ironmaking and Steelmaking，1986，13（6）：301310.（1）连续出版物中析出的文献：例：1 亚洲地质图编图组. 亚洲地层与地质历史概述，地质学报，1978，3：194208.2 赵均宇. 略论辛亥革命前后的章太炎，光明日报，1977324（4）3 Herbert A, Jmson C, Norton G K, etc. Experience with Po

32、wder and Wire Injection at British Steel Corporation, Lackenby Works, Basic Oxygen Steelmaking Plant, Ironmaking and Steelmaking, 1987，14（1）：1016.（2）专著：例：4 熊光愣，肖田元，张燕云编著. 连续系统仿真与离散事件系统仿真. 北京：清华大学出版社，1991.5 中国科学学院南京土壤研究所西沙群岛考察组. 我国西沙群岛的土壤和鸟粪矿. 北京：科学出版社，19776 Borko H, Bernier C L. Indexing concepts an

33、d methods, New York：Academic Pr., 1978.7 International Federation of Library Association and Institutions. Names of persons：national usages for entry in catalogues. 3rd ed . London：IFLA International Office for UBC, 1977.（3）学位论文：例：8 李顶宜. 钢包热循环过程传热物理数学模型的研究及应用研究：学位论文. 北京：清华大学热能系，1994.9 Cairns R B. In

34、fared spectroscopic studies on solid oxygen：Dissertation. Berkeley：Univ. of California, 1965.（4）专著中析出的文献：例：10 傅承义，陈运泰，祁贵中. 地球物理学基础. 北京：科学出版社，1985. 44711 黄蕴慧. 国际矿物学研究的动向. 见：程裕淇等编. 世界地质科技发展动向，北京：地质出版社，1982. 383912 Buseck P R, Nord G L, Veblen D R. Subsolidus phenomena in pyroxenes. In：Prewitt C T，edRe

35、views in mineralogy, pyroxenes v.7.s.l.：Mineralogical Society of America , 1980. 117211（5）会议文献：例：13 Rosenthall E M，edProceedings of the fifth Canadian，Mathematical Congress, Univ. of Montreal, 1961. Toronto：Univ . of Toronto Pr. ,1963.14 吴晓东，刘青，徐安军等. 炼钢厂过程温度时间优化控制模型的建立，第八届全国冶金反应工程学术会议论文集，全国冶金反应工程学术委

36、员会， 2000. 北京：北京科技大学，2000.（6）报告：例：15 World Health Organization . Factors regulating the immune response：report of WHO Scientific Group. Geneva : WHO,1970.16 连铸技术国家工程研究中心，首都钢铁公司. 首钢第三炼钢厂高效连铸技术攻关报告：连铸技术国家工程研究中心，首都钢铁公司. 北京：首都钢铁公司，1998.17 Le Maitre R.W. Numercal petrology：statistical interpretation of ge

37、ochemical data . Amsterdam：Elsevier, 1982. 210附 录Pro/E提供了一个三维与二维沟通的桥梁-工程图模块，用户只需要建立三维的实体零件，以此零件为模型，在工程图模块中就自动生成二维平面图。由于Pro/E系统采用单一数据库管理，因此工程图与对应的实体模型是相互关联的，如果在工程图中修改了尺寸，那么这些修改会在对应的零件模型中体现出来；相反的，如果对零件模型进行了修改，那么对应的工程图也会做同样的修改（同样工程图中的各个视图的尺寸也使相关联的）。在此基础上一下二维出图思维式值得推荐；掌握设计意图设计三维实体由三维生成二维；较传统的二维出图模式：掌握设计

38、意图画二维草图，有着无与伦比的优势，因为首先在一个设计流程中，三维的实体和二维的平面图都能一次完成，而传统的只是为了出图而出图，没有三维实体，其次即使是有着十几年经验的平面绘图员，将二维图与实体分离绘制会出现这样那样的错误，二维图中许多细节部分也是非人力所能想的，修改起来也不系统。作为Pro/E模块的一个重要组成部分，工程图模块功能虽然已经十分强大，但其中的许多标准与国际部匹配，因此这样的工程图是不标准的需要修改，作为二维工程图的龙头老大，CAD的DWG/DXF的工程图文件仍然拥有许多的用户。不过，很幸运的是在Pro/E中提供了相当不错的沟通桥梁，将Pro/E的工程图文件（.drw）输出为CA

39、D可以读取的DWG/DXF文件。这样最终的设计思路是：掌握设计意图在Pro/E中三维造型在Pro/E中生成工程图制成标准工程图在CAD中修改工程图输出DXF/DWG文件。致谢通过这次毕业设计，使我三年来学到的知识得到了初步的实践，并且从中学到了很多以前并未涉及的知识。此次设计是在叶伟华老师的悉心指导下完成的。叶伟华老师为设计课题的研究提出了许多指导性的意见，为论文的撰写、修改提供了许多具体的指导和帮助，而且交给我们学习的方法和思路，使我在研究工作及论文写作过程中不断有新的知识和提高。叶伟华老师的严谨治学、不断探索的科研作风，敏锐深邃的学术洞察力，孜孜不倦的敬业精神，给我留下了深刻的印象，使我受

40、益良多。导师一丝不苟、严谨认真的治学态度，精益求精、诲人不倦的学者风范，以及正直无私、磊落大度的高尚风格，更让我们明白许多做人的道理！更重要的是叶老师在指导我们的论文中，始终践行着“授人以鱼，不如授之以渔”的原则。他常指导我们要志存高远，严格遵守学术道德和学术规范，为以后的继续深造打好坚实的基础。在此，请允许我向尊敬的叶伟华老师表示真挚的谢意。在论文撰写期间，得到了机电专业多位同学还有老师的帮助，在忙碌的工作之余，给予我专业知识上的指导，而且教给我学习的方法和思路，使我在科研工作及论文写作过程中不断有新的认识和提高。在此，我对他们表示由衷的谢意！在本文结束之际，特向我敬爱的导师以最崇高的敬礼和深深的感谢！同时，对关心和指导过我的各位老师和帮助过我的同学们表示衷心的感谢。