运算放大器电路的设计IC课程设计报告.doc
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1、摘 要本次课程设计的主要目的在于能够熟练的理解电路,并掌握对电路原理图进行小信号等效,通过等效小信号电路图进行理论计算公式的推导。本题运算放大器的设计方法为:先分析电路结构,运用小信号等效电路图推算出放大系数Av,相角裕度Phase的计算公式,通过题目给定的限定条件和推算出的公式计算出管子的尺寸大小,然后运用hspice仿真,若仿真结果相差太大,则对整个电路图重新进行分析和计算,若仿真结果与期望值略有偏差,则对管子尺寸大小或者电流分配进行微小调节,直到仿真结果满足要求为止。关键字:pmos、nmos、单管放大系数、单位增益带宽、静态特性、频率特性、HspiceAbstract The main
2、 purpose of this course design is to the understand the circuit skillfully, and to master the skill to change circuit principle diagram into small signal equivalent, deducing the theoretical formula by understanding the small signal equivalent Ontology of operational amplifier design method is: firs
3、t ,analysis of the circuit structure, calculating Av amplification coefficient tor Phase margin by using the small signal equivalent circuit diagram. calculating the size of the pipe sizethrough the topic about the limited conditions and the formulas, then use hspice simulation. if theres a huge dif
4、ference between the simulation results,then calculate the circuit again. if there is a little deviation between results of simulation and expectations, make small adjustment on pipe size or current distribution until the simulation results meet the requirements.Key Words:pmos、nmos、Single tube amplif
5、ication coefficient、unity-gain bandwidth、static characteristics、frequency characteristic、Hspice 目录摘 要.IAbstract.II一、 设计目标(题目) 1二、相关背景知识22.1、mos管2 2.1.1、直流参数2 2.1.2、交流小信号参数 2 2.1.3、相关公式 .22.2 、差分式放大器 3三、电路结构43.1、电路描述43.2、静态特性 53.3、动态特性 6四、设计过程84.1、NMOS的特性仿真及参数推导 84.2、PMOS的特性仿真及参数推导 94.3、二级运算放大器参数推导 1
6、04.4、二级运算放大器仿真及参数调整 11 4.4.1、电路原理图 11 4.4.2、计算初值仿真网表及说明11 4.4.3、参数调整仿真网表及说明12 4.4.4、网表生成.lis文件内容分析 13 4.4.4.1、静态仿真结果输出分析 13 4.4.4.2、动态特性仿真结果分析134.4.5、仿真图形分析 14 4.4.5.1、频率特性仿真图14 4.4.5.2、输入、输出波形仿真15五、 总结16 5.1、个人心得16 5.2、课设碰到的主要疑问以及自己个人对问题的理解18六、 参考文献20七、附录20分工 2020一、 设计目标(题目)Caculate the Av of this
7、apmolifier助教额外附加电路指标要求: Hspice library 0.35um Av=60db; I8ua Phase margzh45 . 二、 相关背景知识 2.1 mos管Mosfet作为信号放大时,其输入的信号一般为交流信号,即随时间而变化的电信号,这是器件的特性将因信号变化的大小及快慢而不同,有低频、高频之分。单个mosfet的主要参数包括:2.1.1 直流参数 开启电压Vt:即当Vds为某一固定值使Id等于一微小电流时,栅源间 电压。 2.1.2 交流小信号参数 PMOS、NMOS的栅跨导:越大,说明器件的放大能力越强,可 通过设计宽长比大的图形结构来提高跨导。 小信号
8、电阻:说明了Vds对Id的影响,是输出特性在某一点上 切线斜率的倒数。2.1.3 相关公式 电流公式:【nmos】 【pmos】 MOS管等效电阻公式:=1/ gds =1/(mos管要工作于饱和区) gds= 2.2 差分式放大器差分式放大器是由两个各项参数都相同的三端器件(包括BJT、FET)所组成的差分式放大电路,并在两器件下端公共接点处连接一电流源。差分式又分为差模和共模信号:输入电压Vid为Vi1和Vi2的差成为共模电压;另外,若输入电压Vic为VI1和Vi2的算术平方根,则称为共模电压。当输入电压是共模形式时,即在两个输入端各加入相同的信号电压,在差分放大电路中,无论是温度变化,还
9、是电源波动引起的变化,其效果相当于在两个输入端加入了共模信号,两输出端输出的共模电压相同,故双端输出时输出电压为零;当输入电压是差模形式时,即在电路的两个输入端各加一个大小相等、极性相反的信号电压,一管电流将增加,另一管电流则减小,所以在两输出端间有信号电压输出。而差分放大器正是利用共模输入的特点来克服噪声信号和零点漂移的。此题要求用双端差模信号输入,单端输出,相应的计算公式如下:1. 差模输入电压:2. 共模输入电压:3. 差模输出电压:4. 共模输出电压:5. 双端输入单端输出的差模电压增益: 6. 双端输入单端输出的等效栅跨导: 7. 双端输入单端输出的等效输出电阻: 8. 带宽公式:9
10、. 增益带宽积:三、 电路结构 CMOS二级运算放大器如图1所示。主要包括三部分:偏置电路,第一级放大电路,第二级放大电路。 图1 两级运放电路图3.1电路描述 输入级放大电路由,组成。和组成差分输入对,差分输入对与单端输相比可以有效抑制共模信号干扰;和电流镜为有源负载;为第一级提供恒定偏置电流。 输出级放大电路由和组成。为共源放大器,为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载,用于对相位进行C密勒补偿。为了便于理解,可将电路以如下方式理解,和为第一级差分输入跨导级,将差分输入电压转换为差分输入电流。和为第一级负载,将差模电流恢复为差模电压。为第二级跨导级,将差分电压信号转换为电流,而再将此电
11、流转换为电压输出。3.2静态特性 在静态条件下,该电路的等效电路图可看作图2所示电路。 图2 静态特性等效电路图中每一级都是互导放大器,由于第一级差分输入对管和相同,有表示第一级输出电阻,其值为则第一级电压增益为对第二级,有第二级的电压增益为故总的开环直流电压增益为3.3动态特性 在动态条件下,该电路的等效电路图可看作图3所示电路。 图3 动态特性等效电路在图3所示的等效电路中,为第一级输出节点到地的总电容,有一般远大于晶体管电容,所以远大于,分别对节点1和节点2列写KCL方程,对于节点1有其中四式联立可得可算出 1对于节点2有其中已知,可得到将式1代入该式,可得到接下来进行计算 令则对于形如
12、的方程,如果有两个实根并相距很远,有,。由此得到两个实根分别为 从而电路的主极点 而次极点 第二极点的单位增益带宽为 一般而言,处于电路的稳定,为了达到的相位裕度,第二极点必须在1.22GBW之外。前面仿真的所有仿真值带入后,满足该条件,所以无需调整参数。四、 设计过程由于在分配电流时,我们设置的偏置电流为1ua ,第一级放大电流为3.5ua,第二级放大电路电流大小为3.5ua.故仿真电流可以确定,求取在不同电流下的mos管的,K值。 4.1 NMOS的特性仿真及参数推导 单管仿真代码: L=0.35u W=1u Id=3.5u nmos nmos .options list node pos
13、t .op .LIB D:InstalledHspiceLibCMOS_035_Spice_Model.lib TT Mp d d 0 0 N_33 L=0.35u W=1u ID VDD d 3.5u *ID为漏极电流大小 VDD VDD 0 5v *栅源电压 .END 仿真结果: subckt element 0:mp model 0:n_33 region Saturati id 3.5000u gm 46.6347u gds 1.1166u从上述仿真结果可以求出:,4.2 PMOS的特性仿真及参数推导 L=0.35u W=1u Id=1.7u pmos pmos .options li
14、st node post .op .LIB D:InstalledHspiceLibCMOS_035_Spice_Model.lib TT Mp D D VDD VDD P_33 L=0.35u W=1u ID D 0 1.7u *ID为漏极电流大小 VDD VDD 0 5V *栅源电压 .END 仿真结果: subckt element 0:mp model 0:p_33 region Saturati id -1.6000u gm 19.1651u gds 580.5186n 从上述仿真结果可以求出:,4.3 二级运算放大器参数推导 由电流分配可以知道:偏置电流为1ua ,第一级放大电流为
15、3.5ua,第二级放大电路电流大小为3.5uA.通过仿真发现,当L的取值很小时,镜像电流可能与理论值不相符,故在分配电流时,将L值取的比较大,取L=20u,则: , 又因为: 由单管NMOS和PMOS仿真结果可知: 可得: 应选择合适的过驱动电压,而VGST的值比较小, 故取 则: 由单管NMOS和PMOS仿真结果可知: 又因为: 故: 由相位裕度大于45可知,由于cl取值为0.1p,相对较小,故此时寄生 令 则有: 令: 则有: 4.4 二级运算放大器仿真及参数调整 4.4.1电路原理图: 4.4.2 计算初值仿真网表及说明 My MOS Differential Amp *文件名字 .LI
16、B D:InstalledHspiceLibCMOS_035_Spice_Model.lib TT *添加库文件 .options post=2 .op *静态分析 *MXXX nd ng ns mname *MOS管尺寸的设置 M01 5 5 4 4 p_33 l= 20u w=20u M13 7 5 4 4 p_33 l= 20u w=70u M21 6 5 4 4 p_33 l= 20u w=70u M10A 8 1 7 7 p_33 l= 0.35u w=3.9u M10B 9 2 7 7 p_33 l= 0.35u w=3.9u M11 8 8 3 3 n_33 l= 0.35u w
17、=1u M12 9 8 3 3 n_33 l= 0.35u w=1u M20 6 9 3 3 n_33 l= 0.35u w=1u ibias 5 3 dc 0.92ua *偏置电流 cm 9 6 3p *米勒补偿电容 cl 6 0 0.1p *cl与rl组成RC滤波电路 rl 6 0 10000K *双电源供电 vdd 4 0 5 *VDD=5V vss 3 0 -5 *VSS=-5V vi1 1 0 dc 0 ac 1 *小信号输入 vi2 2 0 dc 0 .AC DEC 5 10Hz 100MEG *交流仿真 .print ac vdb(6) vp(6) *打印电路图 .END仿真结果
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